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2026年六氟化钨全球断供危机爆发，日本两大厂商永久停产导致四分之一高端产能消失，叠加AI驱动的HBM和3D NAND需求激增，引发严重供给缺口；三星、SK海力士、台积电等巨头供应链承压，加速推进钼材料替代，但短期内六氟化钨在逻辑芯片及TSV制程中仍不可替代，凸显半导体材料安全的战略紧迫性。
文章分析AI算力爆发导致DRAM（内存）严重短缺和涨价，催生“闪存替代DRAM”新趋势，即通过HBF、CMX、MEXT等技术将部分AI负载从昂贵DRAM迁移至性价比更高的NAND闪存，从而驱动闪存产业链（尤其主控芯片与先进封装环节）的第二轮增长逻辑，指出当前投资机会在于尚未被充分定价的主控厂商及HBF相关封测材料环节。
全球存储巨头SK海力士、三星、美光等正推动3D NAND闪存字线材料从钨（W）转向钼（Mo），以突破300层以上高堆叠工艺瓶颈。钼凭借纳米尺度下更优电阻稳定性、无需阻挡层、适配ALD工艺等优势，成为支撑超高层数NAND、HBM及未来逻辑芯片互连的关键材料，带动半导体材料产业链重构与国产替代机遇。
闪迪CEO在伯恩斯坦会议阐述五大战略：数据中心将成NAND最大市场；推行长期供应协议（LTA）重塑商业模式；坚持克制供给纪律避免盲目扩产；持续升级BiCS8等技术与Stargate等高端产品；构建NAND‘去周期化’行业叙事，强调其作为AI基础设施核心组件的战略价值。
高盛研报指出存储芯片缺货将延续至2028年，DRAM、NAND和HBM供需持续紧张，上调三星电子、SK海力士、铠侠评级与目标价；同时看好AI算力链相关标的，包括联发科、新易盛、壁仞、华勤技术及数据中心服务商，并覆盖比亚迪、日本半导体设备商等，宏观主线为AI投资热潮与能源危机并存。
文章分析AI推理爆发导致存储需求结构性转变，指出Decode阶段成为性能瓶颈，HBM带宽与容量成为决定推理效率和成本的核心物理约束；AI训练、推理及数据中心扩张三重引擎驱动存储芯片严重短缺，HBM产能挤压传统DRAM/NAND供给，叠加2-3年扩产周期，引发15年来最严重供需失衡。
AI驱动存储行业需求结构发生根本性转变，从分散、可延迟的消费电子周期需求，升级为集中、刚性、长期锁定的AI基础设施需求；HBM成为核心增长引擎，引发产能向高利润产品倾斜，导致DRAM与NAND供给收缩、现货紧缺、价格弹性压缩，市场正由现货交易转向合同配给制。
NAND闪存价格因AI数据中心抢占高优先级产能而大幅上涨，企业级需求激增导致供给向AI客户倾斜，消费级存储卡零售价四个月暴涨130%，供需缺口将持续至2027年后。
